Tik-61.106 Elektroniikan perusteet

1. välikoe 17.3.1989 / Kari Torkkola

Kirjoita jokaiseen paperiin selkeästi nimesi, koulutusohjelmasi ja opintokirjasi numero.

1. Vastaa lyhyesti seuraaviin kysymyksiin tai selitä esitetyn termin merkitys.

a)	n-tyypin puolijohde.
b)	Läpilyönti diodissa (breakdown).
c)	Schottkydiodi.
d)	Hahmottele n-kanavaisen JFET:in ulostulon ominaiskäyrästö
        (kanavan virta nielun ja lähteen välisen jännitteen
        sekä hilan ja lähteen välisen jännitteen funktiona).
e)	Miten transistorit eristetään toisistaan IC-piirillä?
f)	Miksi MOSFET:it vievät IC-piirillä vähemmän
        tilaa kuin BJT-transistorit.
g)	Ioni-implantaatio.
h)	NAND-portti.
i)	Häiriömarginaali (noise margin).
j)	Miksi ECL-logiikka on nopeaa?
k)	Miksi CMOS-logiikka kuluttaa vähän tehoa?
1)      Fan-out.

Kaavakuva

2. Esitä kuvan zenerdiodirajoittimen ulostulo- jännite sisäänmenojännitteen funktiona, kun diodeille pätee Rf = 20(ohmi), VZI = 5V, VZ2 = 1OV, V(gamma) = 0.6V sekä R = 1Ok(ohmia).

3. Oheisen kuvan kytkennässä R1 = 1 k(ohmia), R2 = 7 k(ohmia), VCC = 24V, RC = 2k(ohmia), RE = 400 (ohmia) sekä (beta)= 100 V. Laske transistorin toimintapiste, eli IC ja v0. Paljonko IC voi vaihdella tämän toi- mintapisteen ympärillä, ettei transistori joudu kyllästystilaan eikä sulkutilaan?

4. Esitä kuvan napojen a ja b vasemmalle puolelle jäävä piiri Theveninin sijaiskytkennällä. Käytä kompleksilukuaritmetiikkaa. Laske sitten kuormana olevien vastuksen ja kelan lävitse kulkevat virrat. vi = 30*(neliöjuuri kaksi)*cos(10000t+20(astetta)).