Tik-61.106 Elektroniikan perusteet

1. välikoe 17.3.1989 / Kari Torkkola

Kirjoita jokaiseen paperiin selkeästi nimesi, koulutusohjelmasi ja opintokirjasi numero.

1. Vastaa lyhyesti seuraaviin kysymyksiin tai selitä esitetyn termin merkitys.

a)	n-tyypin puolijohde.
b)	Läpilyönti diodissa (breakdown).
c)	Schottkydiodi.
d)	Hahmottele n-kanavaisen JFET:in ulostulon ominaiskäyrästö
        (kanavan virta nielun ja lähteen välisen jännitteen sekä
        hilan ja lähteen välisen jännitteen funktiona).
e)	Miten transistorit eristetään toisistaan IC-piirillä?
f)	Miksi MOSFET:it vievät IC-piirillä vähemmän tilaa kuin
        BJT-transistorit.
g)	Ioni-implantaatio.
h)	NAND-portti.
i)	Häiriömarginaali (noise margin).
j)	Miksi ECL-logiikka on nopeaa?
k)	Miksi CMOS-logiikka kuluttaa vähän tehoa?
1)      Fan-out.

2. Esitä kuvan zenerdiodirajoittimen ulostulojännite sisäänmenojännitteen funktiona, kun diodeille pätee R(alaindeksi f) = 20(ohmia), V(alaindeksiZI) = 5V, V(alaindeksi Z2) 10 V, V(gamma) = 0.6V sekä R = 10 k(ohmia).

Kaavakuva

3. Oheisen kuvan kytkennässä R(alaindeksi 1) = 1k(ohmia), R2 R(alaindeksi 2)= 7k(ohmia), V(alaindeksi CC) = 24V, R(alaindeksi c) = 2k(ohmia), R(alaindeksi E) = 400(ohmia) sekä (beta) = 100. Laske transistorin toimintapiste, eli I(alaindeksi C) ja v(alaindeksi 0). Paljonko I(alaindeksi C) voi vaihdella tämän toimintapisteen ympärillä, ettei transistori joudu kyllästystilaan eikä sulkutilaan?

Kaavakuva

4. Esitä kuvan napojen a ja b vasemmalle puolelle jäävä piiri Theveninin sijaiskytkennällä. Käytä kompleksilukuaritnietiikkaa. Laske sitten kuormana olevien vastuksen ja kelan lävitse kulkevat virrat.

vi = 30(neliöjuuri 2) cos(l 0000t+20').

Kaavakuva